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成都萊普科技股份有限公司
晶圓獲得極淺的原始雜質離子注入后,采用激光瞬間退火來激活雜質,并精確控制注入離子的峰值深度,保證注入雜質不發生明顯的擴散再分布,獲得合格的超淺結源漏區。
< 50nm 結深控制
低至 10nm 以內的峰值濃度深度控制
優異的雜質形貌分布和均勻性
WPH 高達 25
完整的全程監控反饋功能
背照式圖像傳感器晶圓
項目 | LA2515 |
晶圓尺寸 | 4/6、6/8 inch 兼容 |
激光功率 | 15W/13W |
典型掃描時間 | 90 sec/p@ 6 inch |
激光能量密度 | 0.3-3J/cm2 |
激活率 | ≥ 95% @B Implant |
均勻性 | 片內:≤ 1%,片間:≤ 1%,@6 inch,RS |
自動傳片系統 | 雙 LoadPort、多關節機器手、預準直器 |
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塑料機械網 設計制作,未經允許翻錄必究 .? ? ?
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