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成都萊普科技股份有限公司
采用激光對重摻雜 SiC 表面沉積一種或幾種過渡金屬進行合金化,精確控制激光能量和分布,形成良好的歐姆接觸。采用激光方式可忽略襯底正面結構的影響,更好的與減薄工藝兼容,簡化工藝流程,提高器件性能。
· 支持薄片退火 · 優秀的退火表面形貌和電學特征
· 10-5Ωcm2量級的比接觸電阻率
· 高效率、低成本控制
· I F 值提高 30% 以上 · 完整的全程監控反饋功能
項目 | LA2540S | LA2550S |
晶圓尺寸 | 4/6 Inch 兼容 | |
典型掃描時間 | 180 sec/p @4 inch | 90 sec/p @4 inch |
激光能量密度 | ≥ 5J/cm2 | |
激光輸出穩定性 | ≤ 2%,RMS,4hrs | |
比電阻接觸率 | ≤ 10 -5Ωcm2 | |
自動傳片系統 | 雙 LoadPort、多關節機器手、預準直器 |
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