產品特點:
JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 節點的掩模版/中間掩模版(mask/reticle)的可變矩形電子束光刻系統。
zei的技術實現了高速、高精度和高可靠性。
是基于加速電壓50 kV的可變矩形電子束和步進重復式的光刻系統
利用步進重復式曝光的優點,結合曝光劑量調整功能及重疊曝光等功能,能支持下一代掩模版/中間掩模版(mask/reticle)圖形制作所需要的多種補償。
產品規格:
拼接精度 | ≦±3.8 nm |
套刻精度 | ≦±7 nm |
參考價 | 面議 |
產品特點:
JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 節點的掩模版/中間掩模版(mask/reticle)的可變矩形電子束光刻系統。
zei的技術實現了高速、高精度和高可靠性。
是基于加速電壓50 kV的可變矩形電子束和步進重復式的光刻系統
利用步進重復式曝光的優點,結合曝光劑量調整功能及重疊曝光等功能,能支持下一代掩模版/中間掩模版(mask/reticle)圖形制作所需要的多種補償。
產品規格:
拼接精度 | ≦±3.8 nm |
套刻精度 | ≦±7 nm |
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