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JSM-IT800 熱場發射掃描電子顯微鏡

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艾普斯卡是一家高科技儀器設備公司,專注化學設備、材料設備、電池設備、致力于質量控制與分析、智能科技產、品的推廣及應用。公司創建于2019年,在中國擁有多個銷售聯絡處,多個維修服務中心,多個示范實驗室,近百名員工以及眾多的國內外合作伙伴。公司旗下已經擁有一系列專業而完整的分析儀器及智能科技產品線,強大的銷售網絡、廣泛的市場覆蓋及完善的售后服務,旨在為中國區用戶提供優良的技術和解決方案。艾普斯卡一向秉承認真嚴謹,服務至上的原則,以優質專業的快捷服務,享譽政府質檢部門、高校科研機構以及環保、化工、地礦、鑄造、機械等行業。艾普斯卡擁有經驗豐富、技術的專家隊伍、業務嫻熟的技術工程師和訓練有素的銷售人員,無論現在還是將來,艾普斯卡都將為您提供設計良好、性能的產品以及及時、周到的售前、售后服務。我們堅信,艾普斯卡是您可靠和信賴的伙伴,您的需要就是我們的工作!如果您想更多地了解利曼中國的產品及服務,歡迎瀏覽我們的 或直接與我們聯系。
塑料耗材
JSM-IT800具備高分辨觀察和高速元素面分析,能夠滿足客戶的各種需求。該裝置配備浸沒式肖特基場發射電子槍、新一代電子光學控制系統Neo Engine、一體化EDS、易用的操作導航SEM Center、及可置換的物鏡模塊。
JSM-IT800 熱場發射掃描電子顯微鏡 產品信息

特性

JSM-IT800 整合了我們用于從高分辨率成像到快速元素分析的“浸沒式肖特基 Plus 場發射電子槍”、創新的電子光學控制系統“Neo Engine”以及無縫 GUI 系統“SEM Center”,該系統采用一體化 JEOL X 射線能量色散譜儀 (EDS) 作為通用平臺,進行快速元素分析。

JSM-IT800 允許物鏡作為一個更換模塊,提供不同的版本以滿足各種用戶需求。JSM-IT800 有五種版本,提供不同的物鏡:混合型物鏡 (HL),這是一種通用 FE-SEM;超級混合物鏡(SHL/SHLs,具有不同功能的兩種版本),可實現更高分辨率的觀察和分析;以及新開發的半浸沒式物鏡(i/is,具有不同功能的版本),適用于納米材料、化學、新材料、半導體器件的觀察和分析。

此外,JSM-IT800 還可以配備新型閃爍體背散射電子探測器 (SBED) 和多功能背散射電子探測器 (VBED)。SBED 支持以高響應性獲取圖像,即使在低加速電壓下也能產生清晰的成分襯度,而 VBED 可以幫助獲取 3D、形貌和成分襯度的圖像。因此,JSM-IT800 可以幫助用戶獲取豐富多樣德 信息并解決測量中的問題。


■ 視頻介紹

◆點擊下面按鈕,開始播放◆


1.   浸沒式肖特基Plus場發射電子槍

集成的浸沒式肖特基Plus電子槍和低像差聚光透鏡可實現高亮度。即使低加速電壓下也能獲得充足的探針電流(100nA@5kv), 這可幫助用戶在對SEM參數進行微小調整的情況下,進行高分辨觀察、高速元素面分析、EBSD分析、軟X射線分析。

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2.  Neo Engine(New Electron Optical Engine)
配備本公司電子光學技術精華的新一代電子光學控制系統,可在調整各種參數的同時進行穩定的觀察。此外,該系統還具有增強的自動功能,更易于使用。

AFS  ACB

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樣品:碳基納米錫粒子
入射電壓:15kV,WD:2mm,觀察模式:BD,檢測器:UED, 倍率:x200,000


3.  SEM Center / EDS一體化

操作導航“SEM Center”與本公司生產的EDS進行了全面集成,更易于操作。此外,還配備了Smile Navi(可選),可以幫助新手了解如何操作SEM,LIVE - AI (Live Image Visual Enhancer-AI)(可選),可輕松查看實時圖像;及SMILE VIEWTM Lab,用于快速生成報告。

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4.  LIVE-AI Filter
利用AI功能,整合LIVE-AI Filter以實現更高質量的實時圖像。與圖像集成處理不同,這樣可以顯示無殘留圖像的無縫移動實時圖像。這一功能對于快速搜索觀察區域、聚焦和像散調整非常有效。


實時圖像比較

樣品:螞蟻外骨骼,入射電壓:0.5kV,SED檢測器

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樣品: 鐵銹, 入射電壓:1kV,SED檢測器

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5.  HL/HLs(Hybrid Lens)、 SHL/SHLs(Super Hybrid Lens)、i/is (Semi-in-Lens)

JSM-IT800 系列了提供多種物鏡可供選擇,以滿足用戶的多種需求。

HL 版本和 SHL 版本(包括 SHLs 版本)配備了電磁/靜電場疊加物鏡。可以對從金屬到納米材料的各種樣本進行高分辨率觀察和分析,特別適用于磁性材料的觀察和分析,例如 EBSD 分析。

i 版本和 is 版本都配備了半浸沒式物鏡,非常適合對傾斜和橫截面樣本進行高分辨率觀察和分析,這是半導體器件故障分析的要素。此外,它還適用于使用高位透鏡內電子探測器 (UID) 進行觀察。

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6.  高位檢測器UHD (Upper Hybrid Detector)
SHL物鏡里標配高位檢測器,可高效檢測樣本中的電子,從而獲得高S/N的圖像。

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SHL 觀察舉例

1.  氧化鋁顆粒  二次電子像

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入射電壓0.5kV, 檢測器:UHD

可以觀察顆粒表面的階梯結構,能清楚地看到納米尺度的階梯。


2. 鋁勃姆石和纖維素納米纖維CNF

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樣本:IC芯片橫截面(表面蝕刻,鋨鍍層)


入射電壓:5.0kV(無BD模式),SHL觀察模式,探測器:UHD、UED(BSE模式)

HL 觀察舉例

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i/is version 觀察舉例

1. 光催化顆粒  二次電子像

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JSM-IT800(i) UED檢測器     樣品提供:東京大學 特聘教授 堂免 一成

這種光催化劑使水分解反應的量子效率接近 99%。高分辨率 SE 圖像清楚地顯示:尺寸小于 10 nm 的助催化劑顆粒優先沉積在立方顆粒的 {100} 晶面上,以促進析氫和析氧反應。

參考文獻:T. Takata et. al., "Photocatalytic water splitting with a quantum efficiency of almost unity," Nature , 581, 411-414, 2020.


2. 半導體器件(SRAM)內部組成像、電位襯度像、凹凸像

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觀察條件:入射電壓1kV,WD8mm,觀察模式SIL,檢測器UED、UID、SED,3種信號同時獲取

7.  新型背散射電子檢測器
閃爍體背散射電子檢測器(SBED、選配件)響應性能,適用于低加速電壓下材料襯度像的采集。多用途背散射電子檢測器(VBED、選配件)適用于3D、凹凸等特色圖像的采集。


SBED觀察例

SBED樣品圖.jpg

VBED觀察例

VBED圖像.jpg

VBED中不同方位的半導體元件接受不同角度的背散射電子。位于內側的元件接受的電子主要反映樣品的成分信息,外側的主要反映其表面凹凸信息,且使用內側半導體元件還能觀察處于AI鍍層深處的熒光物質


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