蔡司GeminiSEM系列高對(duì)比度、低電壓成像的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡
具有出色的探測(cè)效率，能夠輕松地實(shí)現(xiàn)亞納米分辨成像。無論是在高真空還是在可變壓力模式下，更高的表面細(xì)節(jié)信息靈敏度讓您在對(duì)任意樣品進(jìn)行成像和分析時(shí)都具備更佳的靈活性，為您在材料科學(xué)研究、生命科學(xué)研究、工業(yè)實(shí)驗(yàn)室或是顯微成像平臺(tái)中獲取各種類型樣品在微觀世界中清晰、真實(shí)的圖像，提供靈活、可靠的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)和方案。
| 基本規(guī)格 | 蔡司 GeminiSEM 500 | 蔡司 GeminiSEM 450 | 蔡司 GeminiSEM 300 |
|---|---|---|---|
| 熱場(chǎng)發(fā)射電子槍，穩(wěn)定性優(yōu)于0.2 %/h | |||
| 加速電壓 | 0.02 - 30 kV | ||
| 探針電流 | 3 pA - 20 nA | 3 pA - 40 nA | 3 pA - 20 nA |
| （100 nA配置可選） | （100 nA或300 nA配置可選） | （100 nA配置可選） | |
| 存儲(chǔ)分辨率 | 高達(dá)32k × 24k 像素 | ||
| 放大倍率 | 50 – 2,000,000 | 12 – 2,000,000 | 12 – 2,000,000 |
| 標(biāo)配探測(cè)器 | 鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測(cè)器 | ||
| 樣品室內(nèi)的Everhart Thornley二次電子探測(cè)器 | |||
可選配的 項(xiàng)目 | 鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測(cè)器 | ||
| - | 角度選擇背散射探測(cè)器 | 角度選擇背散射探測(cè)器 | |
| 環(huán)形STEM探測(cè)器（aSTEM 4） | |||
| EDS能譜儀 | |||
| EBSD探測(cè)器(背散射電子衍射) | |||
| NanoVP可變壓力模式 | |||
| 高效VPSE探測(cè)器（包含在NanoVP可變壓力選件中） | |||
| 局部電荷中和器 | |||
| 可訂制特殊功能樣品臺(tái) | |||
| 環(huán)形背散射電子探測(cè)器 | |||
| 陰極射線熒光探測(cè)器 | |||
