霍爾效應測量系統L79/HCS

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產品簡介

霍爾效應測量系統L79/HCS

詳細介紹

L79/HCS系統可用于半導體組件性能表征，包括:遷移率，電阻率，載流子濃度和霍爾常數。

基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫（液氮）附件結合高溫爐（溫度可達800°C）可確保涵蓋所有應用領域。永磁體和電磁鐵可提供高達幾特斯拉強度的固定或者可變磁場。

樣品支架位于密封的真空測量室，測量室設有進出氣體口，可在受控及可變的氣氛下進行測量。不同的樣品支架可用于從LN2至800℃進行測量。

可選的實際磁場強度可以在高達150℃的溫度下測量。測量過程中，在滑軌上的兩個磁路可以移動組裝，可將磁通量從正變為零甚至為負，因此樣品無需移動。

型號	L79 HCS
溫度范圍	從LN2 至 800°C （不同配置）
輸入電流	5nA 至 125 mA
霍爾張力	1 µV 至 2500 µV
數字分辨率	300 pV
樣品幾何形狀	從 5 x 5 mm 至 25 x 25 mm 高度 5 mm
磁場	Basic: 永磁鐵，0.7 T；磁極直徑90 mm 用于雙極測量的兩個磁鐵設置。 Alt.: 電磁鐵1 T (可變場)；磁極直徑76mm 電源 75A / 40V. 雙極測量用電流反向開關
傳感器	提供不同的可交換傳感器配置
電阻率范圍	10-4 至 107 (Ω/cm)
載體密度	107 至 1021 (1/cm3)
遷移率	1 至 107 (cm2/Volt sec)
重復性/準確性
電阻率	± 3% (大多數材料) ± 6% (大多數材料)
霍爾常數	± 5% (大多數材料) ± 6% (大多數材料)
氣氛	真空，惰性，氧化，還原