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廣州文明機電有限公司
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JEOL新一代場發射掃描電子顯微鏡的旗艦機型。 它繼承了上一代廣獲好評的性能如的空間分辨率、高穩定性、多種功能等的同時，操作性能極大簡單化。該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發揮其性能。
JEOL新一代FE-SEM旗艦機型。 它繼承了上一代廣獲好評的如的空間分辨率、高穩定性、多種功能等性能的同時，操作性能極大地簡單化。 該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發揮其性能。
主要特點：
◇ Neo Engine（New Electron Optical Engine）
新一代電子光學控制系統Neo Engine（New Electron Optical Engine），是JEOL電子光學技術薈萃的結晶。 它綜合了透鏡控制系統和自動化技術，即使改變電子光學條件，光軸的偏離也極小，大大提高了可操作性及觀察精度。 無論是誰都可以很簡便地發揮出儀器原本的功能。
① 提高了自動功能
樣品 : 用CP 制備的礦物截面（樹脂包埋） 入射電壓 : 5 kV，檢測器 : RBED，觀察倍率 : ×100,000
不僅提高了自動功能的精度，而且只需要幾秒鐘就可以聚焦。
② 提高了倍率的精度
樣品 : 測長用的樣品（MRS5） 入射電壓 : 10 kV， 觀察倍率: ×50,000
大幅度地提高了倍率的精度，而且實現了高精度測長。
③ 能量過濾器更加易用
樣品 : 名片 入射電壓 : 1.5 kV， 檢測器 : UED， 觀察倍率 : ×3,500
即使大幅度改變能量過濾器的設定值，視野或聚焦位置基本不會偏離。
◇ GBSH-S (GENTLEBEAM™ Super High resolution Stage bias mode)
GBSH 是在低加速電壓下提高分辨率的一種方法。 新開發的GBSH-S可以給樣品臺施加高達5 kV的偏壓。 因此，使用GBSH模式不需要使用專用的樣品桿就可以無縫過渡到其他模式。
※GENTLEBEAM™ 通過給樣品施加偏壓，起到了對入射電子減速，對出射電子加速的作用。
◇ 新型背散射電子檢測器 ※ 選配件
采用新開發的超高靈敏度的背散射電子檢測器，可以在清晰的襯度下進行觀察。 靈敏度比以往的產品提高了很多，特別是在低加速電壓下能得到高襯度的成分像。
舊機型 新機型
樣品 : Cu的截面 入射電壓 : 3 kV 觀察倍率 : ×10,000 WD： 4.5 mm
◇ 新型外觀設計
外觀設計緊湊，大大節省了安裝空間，可以支持多種安裝環境。
◇ 新的樣品交換方式
采用新設計的樣品交換系統（load lock），操作簡單了，不僅減少誤操作還提高了通量和耐用性。
◇ SMILENAVI
SMILENAVI 是為初學者在短時間內學會基礎操作而開發的操作導航系統。 操作人員按照流程，只要點擊圖標，SEM操作畫面就會聯動，依照提示引導即可操作。
① 強調操作按鈕
只要將鼠標光標挪到SMILENAVI的指南鍵上，SEM的GUI上的相應鍵會出現方框。
在SMILENAVI指南里點擊按鍵后，SEM的GUI會變成灰色來強調相應鍵。
② 顯示照片
在SMILENAVI的指南里點擊按鍵后，會顯示該按鍵位置的照片。
③ 顯示操作順序的視頻
SMILENAVI的指南里有介紹操作順序的視頻。
繼承了舊機型的高性能
◇ 浸沒式肖特基 Plus 電子槍
浸沒式肖特基Plus FEG 通過與電子槍和低像差聚光鏡的組合，性能進一步得到改善，達到了更高的亮度。 能有效地收集從電子槍發射出的電子，即使在低加速電壓下，也能獲得數pA ～數10 nA 的探針電流，不用交換物鏡光闌也能進行高分辨觀察和快速元素面分布及EBSD 分析。
◇ ACL（光闌角控制鏡）
ACL（光闌角控制鏡）位于物鏡的上方，自動優化整個電流范圍內的物鏡光闌角。 因此，即使改變探針電流量，也能調整入射電子的擴散，始終可以獲取最小的電子束斑。不管是高分辨觀察還是X 射線分析，對探針電流的大幅度變化都能輕松對應。
◇ 超級混合式物鏡 / SHL
JSM-7900F 標配了JEOL 開發的電磁場疊加物鏡 —“超級混合式物鏡（SHL）"，對任何樣品包括磁性和絕緣材料都能進行超高空間分辨率觀察和分析。
◇ 檢測器系統
能夠同步采集多達4 種檢測器的信號。
標配低位檢測器（LED）和高位檢測器（UED）。 此外，還可以安裝選配件：可插拔式背散射電子檢測器（RBED）和高位二次電子檢測器（USD）。
◇ 高空間分辨率觀察
利用GBSH，即使在極低的加速電壓下也能進行高分辨率觀察。
GBSH下，高空間分辨率觀察應用
● 氧化物納米材料
● 金屬納米顆粒
◇ 低真空功能 ※選配件
利用低真空功能，即使是絕緣材料也不需要對樣品噴涂導電層，并且能很容易地進行觀察及測試。JSM-7900F 在低真空下也擁有的空間分辨率。
高倍率下的觀察應用
● 玻璃
EDS分析應用
● 食品
利用低真空功能，能容易地抑制絕緣材料產生的充放電效應。
分辨率 | 1.0 nm (0.5 kV) |
倍率 | ×10 ～ ×1,000,000 |
加速電壓 | 0.01 ～ 30 kV |
探針電流 | 數 pA ～ 500 nA |
檢測器（標配） | 高位檢測器(UED)、低位檢測器(LED) |
電子槍 | 浸沒式肖特基Plus場發射電子槍 |
光闌角控制鏡 | 內置 |
物鏡 | 超級混合式物鏡/SHL |
自動功能 | 自動聚焦、自動消像散、自動調節亮度、自動調節襯度 |
大景深模式(LDF) | 內置 |
樣品臺 | 全對中測角樣品臺 |
樣品移動 | X:70mm Y:50mm Z:2 ～ 41mm 傾斜軸:-5 ～ 70° 旋轉:360° |
馬達驅動 | 5軸馬達驅動 |
樣品交換室 | 直徑: 100mm 高度: 40mm |
抽真空系統 | SIP、TMP、RP |
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