技術參數：

離子束帶來高分子量分析和高空間分辨率

四種離子束可選擇

用氣體團簇離子束SIMS，可以分析高達3000Da的分子量

無“僅蝕刻"循環(huán)的深度剖面。

快速、連續(xù)采集

冷樣品處理

氣敏和冷凍樣品,可配置手套箱

高級數據查看功能

腔室上最多可包括3種離子束。選擇包括金，C60，氣體團簇，和等離子體-每一個適合特定的樣品類型或實驗，如下所示。

主要特點：

深度剖面

該 SIMS非常適合于樣品的深度剖面分析。使用直流離子束進行分析的一個重要方面是，不需要將蝕刻離子束與分析離子束交錯。為了能夠在合理的時間尺度上生成3D圖像，并去除受損的亞表面層，傳統(tǒng)的TOF實驗使用了交錯成像和蝕刻循環(huán)，這些循環(huán)浪費了寶貴的樣品。在使用C60+或（CO2）n/Arn+等連續(xù)分析離子束，分析和低損傷刻蝕是連續(xù)和并行的，因此沒有數據丟失，所有材料都被采樣，使我們 SIMS成為一個非常精確的深度剖面分析工具。

溫度和大氣控制的多功能樣品處理

該 SIMS上的多功能樣品處理系統(tǒng)可以分析多種樣品類型。儀器配備液氮冷卻裝置，以便對揮發(fā)性樣品進行分析——冷卻裝置適用于主樣品階段和樣品插入鎖。相反，樣品臺也可以加熱到600 K。

儀器配有手套箱，用于在干燥氣體下制備和插入空氣/水敏感樣品，并防止冷卻過程中結冰。由于小容量負載鎖定和高泵送速度，樣品插入很快。

半導體

半導體分析的范圍可以從淺結深度剖面到高分辨率3D成像。有五種不同的主離子束可供選擇，可以針對不同的材料或實驗類型進行定制。

從 40kV C60 光束中進行選擇，即使在混合材料上也能提供高分辨率成像和均勻的濺射率，是平面設備的理想選擇。或 FLIG 5，超低能耗 O2/Cs 光束，具有高的電流密度，是淺結深度剖析的選擇。

特征：IOG C60-40， FLIG 5， 深度剖析， 3D 成像

聚合物

液態(tài)金屬離子束會導致高水平的碎裂和對表面的損壞，然后必須通過GCIB將其去除。這會降低深度分辨率，并增加實驗不必要的復雜性。GCIB是主光束，因此可確保低分段，不需要僅蝕刻循環(huán)，并保證高深度分辨率。

GCIB SM 是市場上能量Z高的 GCIB，能夠快速和Z小的損壞蝕刻聚合物等軟質材料，從而實現比以往更大的 3D 分析量。

特征：GCIB SM， 深度剖析， 3D 成像