無掩膜曝光機

美國IMP（Intelligent Micro Patterning,LLC）公司憑借多年的光刻設備生產(chǎn)經(jīng)驗和多項無掩模曝光技術(shù)，已成為無掩模紫外光刻領域的。國內(nèi)參考用戶較多！

     產(chǎn)品優(yōu)點：
     微米和亞微米光刻,最小0.6微米光刻精度
      紫外光直寫曝光,無需掩模，大幅節(jié)約了掩模加工費用
     靈活性高，可直接通過電腦設計光刻圖形，并可根據(jù)設計要求隨意調(diào)整。
      可升級開放性系統(tǒng)設計。
      按照客戶要求可從低端到高自由配置
     使用維護簡單, 設備耗材價格低。
      應用范圍廣，目前廣泛應用于半導體、生物芯片、微機電系統(tǒng)、傳感器、微化學、光學等領域。

    SF-100 型
      可配置汞燈光源和LED光源,多種波長曝光（385nm, 405nm）

      目鏡最小像素 1um
      1.25 micron with 4X reduction lens
      0.50 micron with 10X reduction lens
      0.25 micron with 20X reduction lens

  無掩膜曝光機

 平臺參數(shù)
      全自動電腦控制位移
      高精度三維線性驅(qū)動樣品臺

 X and Y 軸運動：
      移動范圍: 100--300mm
      準確性: +/-200 nm per axis
      重復性: +/- 50 nm per axis
    

  Z 軸運動：
      移動范圍: 25 mm
      準確性: +/- 200 nm
      重復性: +/- 75 nm
     

 Theta 轉(zhuǎn)動：
      轉(zhuǎn)動角度: 360 degrees
      準確性: +/-5 arc sec
      重復性: +/-2 arc sec

 
激光共聚焦對準功能