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沈陽北博電子科技有限公司


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BP130系列特種硅壓阻壓力敏感芯片

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更新時間:2024-10-26 17:02:41瀏覽次數:21次

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產品簡介

數字化系統協同設計、MEMS工藝制造SiO2層絕緣隔離擴散硅敏感電橋

詳細介紹

1、主要特點:

  • 數字化系統協同設計、MEMS工藝制造

  • SiO2層絕緣隔離擴散硅敏感電橋

  • 特殊功能結構和材料

  • 適應高寬工作溫度范圍

  • 適應與硅、玻璃兼容的介質環境

  • 表壓、絕壓、差壓類型齊全

  • 覆蓋低、中、高寬壓力量程范圍


 2、主要性能指標:



序號

項目

規格指標

備注

1

系列

耐高溫沖擊

貼片


2

類型

表壓、絕壓、差壓


     3

基準壓力量程

100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10Mpa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100Mpa、200MP

100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa

1*

     4

量程過載能力

≥3倍基準量程(≤10MPa); ≥1. 5倍基準量程(>10MPa); ≥1. 25倍基準量程(≥60MPa)

2*

5

橋路電阻

3~5kΩ


6

零點輸出

≤ ±25mV

3*

7

滿量程輸出

≥20mV(20kPa、35kPa);  ≥30 mV(20kPa、30kPa);  ≥50 mV(其它基準量程)

3*

8

準確度

≤ ±0.2%FS (其它基準量程);   ≤ ±0.25%FS (≤60kPa、≥60MPa、100MPa)

 ± 0.5%FS(≤10kPa)

3*、4*

9

靈敏度對稱性

≤ ±0.3%FS

4*

10

工作溫度范圍

下限-55℃;上限+540℃;

下限-55℃;上限+230℃;


11

熱零點漂移

1%FS/℃(≤10kPa);      ≤0.8%F.S /55℃其它基準量程)

5*6*

12

熱靈敏度漂移

2%FS/℃(≤10kPa)       ≤ 1%F.S /55℃其它基準量程)

5*6*

13

短期穩定性

±0.03%FS/8h

3*

14

激勵電源

恒流0.5~1.5mA,或恒壓5V~10V


15

電橋連接形式

閉橋


16

芯片表面尺寸

≤3.5×2.7mm)

≤1×1mm)≤1,5 ×1.5mm)

7*


 注:1*. 可定制中間壓力量程;                             2*. 100MPa量程過載為本量程上限;

         3*. 5VDC恒壓激勵,恒溫25℃;                       4*. 非線性數據計算為最小二乘法;                    

         5*. 1mADC恒流激勵,恒溫25℃(可補償性); 6*. 55℃溫區為-30~25℃或25~80℃(可補償性);

          7*. 硅片厚度c=500μm


    注:可提供定制服務,如有需求請與營銷人員聯系。


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