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昆山友碩新材料有限公司
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超薄晶圓平坦化加工夾持的方法與流程。目前國外對于LT薄片加工的方法為雙面拋光后進行單面粗化來達到制程應用的需求，但此種工藝需對晶片進行雙面拋光加工，加工時間與成本上升許多，且難以保證單面粗化的過程對于晶片另一表面不會造成損傷。
超薄晶圓平坦化加工夾持的方法與流程。目前國外對于LT薄片加工的方法為雙面拋光后進行單面粗化來達到制程應用的需求，但此種工藝需對晶片進行雙面拋光加工，加工時間與成本上升許多，且難以保證單面粗化的過程對于晶片另一表面不會造成損傷。
國內另有一種現有工法為單面拋光制程，該制程利用上蠟或者吸附墊方式將晶片固定住，然而此作法做出來的晶片平坦度水準較雙拋工藝差，常常造成后段黃光微影制程的困擾，致使晶片表現不佳亦或是短路。
雙拋工藝受限夾治具的剛性強度要求，晶片越往薄化發展代表對應的夾具需要更薄，此時夾具剛性已無法提供穩定的加工保證，其時成品率將大幅降低或者加工成本會大幅上升。
使用上蠟將晶片固定的作法也容易因為上下蠟制程普遍需要升溫或降溫促使身為壓電材料的LT發生破碎，尤其是晶片厚度較薄時。
使用吸附墊方式將晶片固定的作法也無法將晶片做薄，主要原因為LT晶片材質易碎薄化過程中背面使用軟的吸附墊晶片容易造成形變發生碎片。
上述的幾項傳統加工工藝無法達到LT晶片厚度<200um，且平坦度在5mm2<0.5um，PLTV>95%穩定產品品質要求，為此，我們提出一種超薄晶圓平坦化加工夾持的方法。
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