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巴斯夫重磅推出針對新一代絕緣柵雙極晶體管（IGBT）半導體的高性能PPA材料
導讀：針對新一代的電力電子設備，巴斯夫開發出了一種聚鄰苯二甲酰胺(PPA)，這種材料尤其適合制造IGBT的半導體外殼。
針對新一代的電力電子設備，巴斯夫開發出了一種聚鄰苯二甲酰胺(PP)，這種材料尤其適合制造IGBT的半導體外殼。Uitramid®AdvancedN3U41G6能夠滿足電動汽車、高速列車、智能制造和可再,生能源等領域對于高性能、可靠電子元件日益增長的需求。作為電力電子設備領域的全球技術領導者，SemikronDanfoss目前采用巴斯夫PPA作為其光伏和風能系統逆變器中的Semitrans1oIGBT外殼材料。UItramid®AdvancedN系列具備出色的耐化學性和尺寸穩定性，可以提高IGBT的堅固性、長期性能及可靠性，從而滿足日益增長的節能、更高功率密度以及提效需求。IGBT能夠實現電力電子設,備中電路的高效切換與控制。
“IGBT是現代電子設備的關鍵元件，尤其在可再生能源領域。"SemikronDanfoss研發與預研部JornGrossmann表示，“IGBT必須在更高的溫度條件下工作，且同時要保持長期穩定性及高性能。得益于巴斯夫PPA材料的獨特性能，Semitrans10為性能與效率立下了新標桿。該材料即使在嚴苛環境中也能表現出卓越的電氣絕緣性能；并且在裝配過程出現短期溫度峰值時，它也具備出色的堅固性。因此我們選擇了此款材料。”高性能材料與智能設計相結合，能夠提升切換速度、降低傳導損耗以及,化熱管理，進而滿足電力電子設備中的關鍵需求。
如今廣泛應用在IGBT中的是巴斯夫的一款成熟產品UItradur®(PBT：聚對苯二甲酸丁二醇酯)。而在快速發展的電力電子設備中，新推出的PPA可滿足新一代IGBT的各種嚴苛要求。比如，材料能夠承受,更高的溫度，持續保持電氣絕緣性能，以及在潮濕、灰塵和污垢等具有挑戰性的環境條件下保持尺寸,穩定性。采用無鹵阻燃劑的激光敏感UItramid®AdvancedN3U41G6具備強大的熱穩定性、低吸水性,以及出色的電氣性能。其特點在于高達600的CT1值(CTI：相對漏電起痕指數，依據IEC60112)：與,自前用于電源升關的材料相比，這種材料漏電更少、絕緣性能更佳，可以更有助于IGBT微型化。UL認證系列產品具有高達150°C的電氣RTI值(RTI：相對溫度指數)。
巴斯夫電力電子設備高級應用專家JochenSeubert表示：“巴斯夫PPA改性產品面向全球供應且提供樣品展示。我們以客戶為中心，提供部件開發方面的技術支持，希望這一創新材料能夠為電力電子設備的發展作出重大貢獻，推動全球可再生能源轉型的進程。”在IGBT制造過程中，將金屬引腳與夾具注塑成型后，巴斯夫PPA可與半導體封裝材料兼容。
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