1、主要特點
數字化系統協同設計、MEMS工藝制造
SiO2層絕緣隔離擴散硅敏感電阻
消除PN結反向飽和漏電流、時漂特性優化
適應高寬工作溫度范圍
自補償恒流激勵滿量程熱漂移
多種惠斯登電橋開/閉合連接形式
應力匹配玻璃襯片隔離
表壓、絕壓、差壓類型齊全
覆蓋低、中、高寬壓力測量量程
2、主要技術指標
序號
項目
規格指標
備注
1
基準壓力量程
表壓、差壓
絕壓
0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa
100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100Mpa、150MP
2
量程過載能力
≥3倍基準量程（≤10MPa）； ≥1. 5倍基準量程（＞10MPa）； ≥1. 25倍基準量程（≥60MPa）
1*
3
橋路電阻
3～5kΩ
5
零點輸出
≤ ±25mV
2*
6
滿量程輸出
≥20mV（20kPa、35kPa）； ≥30 mV（20kPa、30kPa）；
≥50 mV（其它基準量程）
2*
7
準確度
≤ ±0.2%FS （其它基準量程）； ≤ ±0.25%FS （≤60kPa、≥60MPa、100MPa）
± 0.5%FS（≤10kPa）
2*、3*
8
靈敏度對稱性
≤ ±0.2%FS
3*
9
工作溫度范圍
-55～+150℃；
10
熱零點漂移
≤ 1%FS/55℃（≤10kPa）； ≤ 0.8%F.S /55℃（其它基準量程）
4*、5*
11
熱靈敏度漂移
≤2%FS/55℃（≤10kPa）； ≤ 1%F.S /55℃（其它基準量程）
4*、5*
12
短期穩定性
≤±0.03%FS/8h
2*
13
激勵電源
恒流0.5～1.5mA,或恒壓5V～10V
14
電橋連接形式
閉橋
15
芯片表面尺寸
≤3.5×2.75（mm）
≤2.3×2（mm）
≤1.55×1.55（mm）
6*
注：1*. 150MPa量程過載為本量程上限； 4*. 1mADC恒流激勵，恒溫25℃；
2*. 5VDC恒壓激勵，恒溫25℃； 5*. 55℃溫區為-30～25℃或25～80℃；
3*. 非線性數據計算為最小二乘法； 6*.硅片厚度c=500μm。
注：可提供定制服務，如有需求請與營銷人員聯系。
