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飛行時間二次離子質譜批發

參考價面議
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱科睿設備有限公司
  • 品       牌
  • 型       號TOF-SIMS
  • 所  在  地上海市
  • 廠商性質其他
  • 更新時間2024/12/2 6:13:55
  • 訪問次數97
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科睿設備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd )為多家國外高科技儀器廠家在中國地區的代理。科睿公司一貫秉承『誠信』、『品質』、『服務』、『創新』的企業文化,為廣大中國用戶提供儀器、設備,周到的技術、服務和*的整體解決方案。在科技日新月異、國力飛速發展的中國,納米科學研究、薄膜材料(包括半導體)生長和表征、表面材料物性分析、生物藥物開發、有機高分子合成等等領域,都需要與歐美發達國家*接軌的儀器設備平臺來實現。科睿設備有限公司有幸成長在這個火熱的年代,我們愿意化為一座橋梁,見證中國科技水平的提升,與中國科技共同飛速成長。
      科睿設備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd)總部設在中國香港,在中國上海設立了分公司,在國內多個城市設立了辦事處或維修站,旨在為客戶提供*的產品和服務。2010年,科睿設備有限公司在上海設立備品倉庫及維修中心,同時提供在大陸的各項技術服務和后期的維修保障服務,我們擁有專業的應用維修人員,并且都曾到國外廠家進行了專門的培訓。上海配備了多種維修部件,能使我們的服務更加快捷和方便。我們承諾24小時電話響應,72小時內趕到現場維修。以利于更好、更快的為中國大陸服務!
      因為信任,所以理解.我們理解用戶的困難和需求。我們已經為國內眾多科研院所和大學根據用戶的要求配制和提供了上百套系統,主要用戶包括:中科院物理所,中科院半導體所,中科院大連化學物理研究所,國家納米中心,上海納米中心,北京大學,清華大學,中國科技大學,南京大學,復旦大學,上海交通大學,華東理工大學,浙江大學,中山大學,西安交通大學,四川大學,中國工程物理研究院,香港大學,香港城市大學,香港中文大學,香港科技大學等。



光刻機,鍍膜機,磁控濺射鍍膜儀,電子束蒸發鍍膜儀,開爾文探針系統(功函數測量),氣溶膠設備,氣溶膠粒徑譜儀,等離子增強氣相沉積系統(PECVD),原子層沉積系統(ALD),快速退火爐,氣溶膠發生器,稀釋器,濾料測試系統
動態TOF-SIMS系統,它使用直流主束的飛行時間分析儀,創建了成像質譜的新范式。直流一次離子束的使用允許快速成像和連續數據采集(即沒有單獨的蝕刻周期),同時提供高空間和質量分辨率。特點:離子束帶來高分子量分析和高空間分辨率四種離子束可選擇用氣體團簇離子束SIMS,可以分析高達3000Da的分子量無“僅蝕刻”循環的深度剖面。快速、連續采集冷樣品處理氣敏和冷凍樣品
飛行時間二次離子質譜批發 產品信息

技術參數:


離子束帶來高分子量分析和高空間分辨率

四種離子束可選擇

用氣體團簇離子束SIMS,可以分析高達3000Da的分子量

無“僅蝕刻”循環的深度剖面。

快速、連續采集

冷樣品處理

氣敏和冷凍樣品,可配置手套箱

高級數據查看功能


腔室上最多可包括3種離子束。選擇包括金,C60,氣體團簇,和等離子體-每一個適合特定的樣品類型或實驗,如下所示。

離子束

能量

束斑大小


25kV

<150nm<>

Z高的空間分辨率,導致明顯的碎片。是硬質材料的理想選擇。

碳60 (C60)

40kV

<300nm<>

在任何材料上均勻濺射,碎裂度低,理想值可達1kDa。

氣體團簇

(Ar/CO2/H2O)

40kV, 70kV

<1um<>

有機物的高濺射率,任何束流的低碎片,是生物成像的理想選擇。

雙等離子體發射源 (Ar/O2/N2/Cs)

30kV

<300nm<>

高亮度光源,是無機材料的理想選擇。氧束提高正離子產率,Cs提高負離子產率。












主要特點:

深度剖面

該 SIMS非常適合于樣品的深度剖面分析。使用直流離子束進行分析的一個重要方面是,不需要將蝕刻離子束與分析離子束交錯。為了能夠在合理的時間尺度上生成3D圖像,并去除受損的亞表面層,傳統的TOF實驗使用了交錯成像和蝕刻循環,這些循環浪費了寶貴的樣品。在使用C60+或(CO2)n/Arn+等連續分析離子束,分析和低損傷刻蝕是連續和并行的,因此沒有數據丟失,所有材料都被采樣,使我們 SIMS成為一個非常精確的深度剖面分析工具。


溫度和大氣控制的多功能樣品處理

該 SIMS上的多功能樣品處理系統可以分析多種樣品類型。儀器配備液氮冷卻裝置,以便對揮發性樣品進行分析——冷卻裝置適用于主樣品階段和樣品插入鎖。相反,樣品臺也可以加熱到600 K。

儀器配有手套箱,用于在干燥氣體下制備和插入空氣/水敏感樣品,并防止冷卻過程中結冰。由于小容量負載鎖定和高泵送速度,樣品插入很快。

 

半導體

半導體分析的范圍可以從淺結深度剖面到高分辨率3D成像。有五種不同的主離子束可供選擇,可以針對不同的材料或實驗類型進行定制。

從 40kV C60 光束中進行選擇,即使在混合材料上也能提供高分辨率成像和均勻的濺射率,是平面設備的理想選擇。或 FLIG 5,超低能耗 O2/Cs 光束,具有高的電流密度,是淺結深度剖析的選擇。

特征:IOG C60-40, FLIG 5, 深度剖析, 3D 成像

  

聚合物

液態金屬離子束會導致高水平的碎裂和對表面的損壞,然后必須通過GCIB將其去除。這會降低深度分辨率,并增加實驗不必要的復雜性。GCIB是主光束,因此可確保低分段,不需要僅蝕刻循環,并保證高深度分辨率。

GCIB SM 是市場上能量Z高的 GCIB,能夠快速和Z小的損壞蝕刻聚合物等軟質材料,從而實現比以往更大的 3D 分析量。

特征:GCIB SM, 深度剖析, 3D 成像


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