用于電子顯微鏡的樣品通常受益于薄膜的添加。它通常是導電材料,例如Pt,Pd或Au。這些導電層有助于抑制電荷,減少局部光束加熱引起的熱損傷,并改善二次電子信號。
傳統(tǒng)上,這些薄膜是使用PVD技術(shù)生長的。隨著技術(shù)的進步,某些類型的樣品不能通過PVD提供,因為需要涂層的特征無法進入現(xiàn)場生長線。
研究人員將受益于ALD生長的導電薄膜,因為已經(jīng)開發(fā)出針對小樣品導電金屬生長進行了優(yōu)化的系統(tǒng)(與臺式濺射的價格點相同)
為保形導電薄膜提供了用于 3D 樣品制備的解決方案,同時還提供目前使用濺射/蒸發(fā)生長的傳統(tǒng) 2D 鍍膜。我們不僅突破了界限,而且是當前樣品制備過程的有效替代品,所有這些都在臺式配置中,價格相當。
熱ALD / PEALD
沉積工藝:
金屬:Ru、Ti、Co、…
氧化物:Al2O3、HfO2、TiO2、SnO2、NiOx、ZnO、ZrO、SiO2、RuO、,。。。
氮化物:TiN、TaN等,。。
基板尺寸:工件Z大為6英寸
源注入:雙型噴頭
基板加熱器溫度:RT至Z高350℃(@晶片)
前軀體化學源數(shù)量:3套
源瓶加熱:RT至150℃
射頻功率:600W@13.56Mhz
極限壓力:≤5.0×10-3乇
泵:干式泵或旋轉(zhuǎn)泵
沉積均勻度:≤±3%
系統(tǒng)控制:PC控制(UPRO軟件)
可選 源瓶加熱溫度200℃
尺寸(寬*長*高)850mm*720mm*600mm