技術(shù)參數(shù)：
離子束帶來(lái)高分子量分析和高空間分辨率
四種離子束可選擇
用氣體團(tuán)簇離子束SIMS，可以分析高達(dá)3000Da的分子量
無(wú)“僅蝕刻”循環(huán)的深度剖面。
快速、連續(xù)采集
冷樣品處理
氣敏和冷凍樣品,可配置手套箱
高級(jí)數(shù)據(jù)查看功能
腔室上最多可包括3種離子束。選擇包括金，C60，氣體團(tuán)簇，和等離子體-每一個(gè)適合特定的樣品類型或?qū)嶒?yàn)，如下所示。
離子束 | 能量 | 束斑大小 | |
金 | 25kV | <150nm<> | Z高的空間分辨率，導(dǎo)致明顯的碎片。是硬質(zhì)材料的理想選擇。 |
碳60 (C60) | 40kV | <300nm<> | 在任何材料上均勻?yàn)R射，碎裂度低，理想值可達(dá)1kDa。 |
氣體團(tuán)簇 （Ar/CO2/H2O） | 40kV, 70kV | <1um<> | 有機(jī)物的高濺射率，任何束流的低碎片，是生物成像的理想選擇。 |
雙等離子體發(fā)射源 (Ar/O2/N2/Cs) | 30kV | <300nm<> | 高亮度光源，是無(wú)機(jī)材料的理想選擇。氧束提高正離子產(chǎn)率，Cs提高負(fù)離子產(chǎn)率。 |
主要特點(diǎn)：
深度剖面
該 SIMS非常適合于樣品的深度剖面分析。使用直流離子束進(jìn)行分析的一個(gè)重要方面是，不需要將蝕刻離子束與分析離子束交錯(cuò)。為了能夠在合理的時(shí)間尺度上生成3D圖像，并去除受損的亞表面層，傳統(tǒng)的TOF實(shí)驗(yàn)使用了交錯(cuò)成像和蝕刻循環(huán)，這些循環(huán)浪費(fèi)了寶貴的樣品。在使用C60+或（CO2）n/Arn+等連續(xù)分析離子束，分析和低損傷刻蝕是連續(xù)和并行的，因此沒有數(shù)據(jù)丟失，所有材料都被采樣，使我們 SIMS成為一個(gè)非常精確的深度剖面分析工具。
溫度和大氣控制的多功能樣品處理
該 SIMS上的多功能樣品處理系統(tǒng)可以分析多種樣品類型。儀器配備液氮冷卻裝置，以便對(duì)揮發(fā)性樣品進(jìn)行分析——冷卻裝置適用于主樣品階段和樣品插入鎖。相反，樣品臺(tái)也可以加熱到600 K。
儀器配有手套箱，用于在干燥氣體下制備和插入空氣/水敏感樣品，并防止冷卻過(guò)程中結(jié)冰。由于小容量負(fù)載鎖定和高泵送速度，樣品插入很快。
半導(dǎo)體
半導(dǎo)體分析的范圍可以從淺結(jié)深度剖面到高分辨率3D成像。有五種不同的主離子束可供選擇，可以針對(duì)不同的材料或?qū)嶒?yàn)類型進(jìn)行定制。
從 40kV C60 光束中進(jìn)行選擇，即使在混合材料上也能提供高分辨率成像和均勻的濺射率，是平面設(shè)備的理想選擇。或 FLIG 5，超低能耗 O2/Cs 光束，具有高的電流密度，是淺結(jié)深度剖析的選擇。
特征：IOG C60-40， FLIG 5， 深度剖析， 3D 成像
聚合物
液態(tài)金屬離子束會(huì)導(dǎo)致高水平的碎裂和對(duì)表面的損壞，然后必須通過(guò)GCIB將其去除。這會(huì)降低深度分辨率，并增加實(shí)驗(yàn)不必要的復(fù)雜性。GCIB是主光束，因此可確保低分段，不需要僅蝕刻循環(huán)，并保證高深度分辨率。
GCIB SM 是市場(chǎng)上能量Z高的 GCIB，能夠快速和Z小的損壞蝕刻聚合物等軟質(zhì)材料，從而實(shí)現(xiàn)比以往更大的 3D 分析量。
特征：GCIB SM， 深度剖析， 3D 成像
