渦輪分子泵應用于分子束外延 MBE
分子束外延 Molecular Beam Epitaxy, 簡稱 MBE 是一種晶體生長技術, 首先將待成長的芯片放置在超高真空腔體中 ~10-10Torr, 和將需要生長的單晶物質按元素的不同分別放在噴射爐中, 當爐溫升至一定溫度時, 爐中的材料會以原子束或分子束的形式蒸發出來, 此時基板也被加熱至一適當的溫度, 分子束射至基板時, 就會與基板表面的原子結合而生長出極薄的, 可薄至單原子層水平, 單晶體和幾種物質交替的超晶格結構. 分子束外延 MBE 設備在生長二維材料以及拓撲材料, 氧化物方面都有不錯的性能. 如: III-V 族, II-VI 族, Si SiGe, 金屬與金屬氧化物, 以及 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN, CIGS, OLED 等.
分子束外延 MBE 系統需要在超高真空環境中進行, 對真空度要求及其高, 真空度可到 2×10-10 torr, 同時需要分子泵低振動, 低噪音, 清潔無油確保超高真空的穩定性已保證晶格的生長和后期的探測分析.
上海伯東分子束外延 MBE 客戶案例: 根據真空腔室大小和客戶要求的抽空時間, 上海伯東推薦某真空設備商 MBE 設備搭配 Pfeiffer 渦輪分子泵 HiPace 700, 真空可達到10-10 Torr. HiPace 700 尺寸 Φ208 x 224mm, 重量 17.4 kg, 方便集成于設備中!
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| 渦輪分子泵 HiPace 700 |
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