詳細參數
封裝 | Metal |
封裝等級 | TO-8 |
制冷方式 | One-stage TE-cooled |
光譜響應范圍 | 0.32 to 1.67 μm |
探測器(1) | Si |
光敏面尺寸 (1) | 2.4×2.4 mm |
峰值靈敏度波長(典型值)(1) | 0.94 μm |
靈敏度(典型值)(1) | 0.45 A/W |
探測器(2) | InGaAs |
光敏面尺寸 (2) | φ1 mm |
峰值靈敏度波長(典型值)(2) | 1.55 μm |
靈敏度(典型值)(2) | 0.55 A/W |
測量條件 | Typ., Ta=25 ℃, unless otherwise noted |