開放式TEM橫電波小室TBTC
概述
EMC電磁兼容輻射騷擾測試或抗擾度測試通常在電磁屏蔽室中進行,使用天線接收輻射信號。由于帶寬限制,需要多個天線才能覆蓋整個頻率范圍。此外,屏蔽暗室需要很大的空間場地,并且用于標準一致性測試的設備成本很高。
中小型企業(yè)的工程師通常必須依靠工作經驗和實踐方法來設計符合EMC的產品。但是,據(jù)估計,有超過50%的產品在測試中未通過。當新產品送至認證實驗室進行合規(guī)性測試時,測試失敗具有非常高的成本,不僅重新測試成本,同時項目進度和市場推廣也被推遲。
因此需要的是一個價格合理的實驗室,可以在合規(guī)性測試之前工程師自己在實驗室中進行輻射騷擾預測試。TEM單元是用于桌面輻射騷擾測試的設備,Tekbox開發(fā)的開放式TEM單元,頻率覆蓋高達2GHz范圍,即使在更高的頻率(6GHz)下也具有可用性。
TEM單元可與頻譜分析儀結合使用,可以對產品EMC相關的設計修改前后對產品進行驗證測試。TEM Cell裝置無法得到與經過認證的實驗室測量相同的測量結果,但是它能很好的表明產品設計是否有輻射騷擾,工程師將清楚地看到輻射情況,它所做的是產品更改是否改善了EMC性能,或者它是否保持不變。使用TEM單元消除了對產品輻射騷擾的猜測。
TEM單元是用于電子設備的輻射發(fā)射和抗擾度測試的帶狀線設備。由于其尺寸和成本,它不是認證測試實驗室的替代品,它是在實驗室中進行測量的便捷替代方法。
TEM單元由隔板,中間部分的導電條和接地的壁組成。呈現(xiàn)為幾何形狀設計的50Ω帶狀線。被測設備(DUT)放置在底壁和隔板之間。
TBTC1 / 2/3是開放式TEM單元,它沒有側壁,便于放置DUT。沒有側壁可能會拾取環(huán)境背景噪聲,但是可以通過在DUT上電之前對單元輸出信號進行測量環(huán)境噪音來將其考慮在內。
TEM Cell用于EMC一致性預測試---輻射抗擾度
抗擾度測試由射頻信號發(fā)生器輸出經射頻放大器后連接TEM單元,隔板將射頻信號輻射到DUT中,射頻信號通常是調幅(AM)或脈沖調制
與同等尺寸標準TEM單元相比,Tekbox開放式TEM單元具有更好的頻率響應。TEM單元的高階波模式的限制可用帶寬。Tekbox TEM單元的設計實現(xiàn)了垂直于所需波傳播方向的電阻。因此,高階波和共振被抑制。
所有TEM單元都提供50Ω/25W射頻終端負載和直流塊,用于保護頻譜分析儀或接收機輸入
抗擾度完整解決方案
頻譜分析儀:可以使用普源DSA815、鼎陽SSA3021X,VSA6G2A或其他品牌,也可使用二手頻譜儀(如N9020A)
射頻功率放大器:我們Tekbox提供了一系列調制功率放大器,非常適合進行低成本的抗擾度測試。如:TBMDA1(40M-3G)、TBHDR1(30K-1.5G)等。這些放大器內置調制器以生成所需的調制格式,由頻譜分析儀的跟蹤源輸出驅動,因此可以不投資RF信號發(fā)生器.
根據(jù)選擇的調制信號放大器以及TEM單元,通過這種設置可以產生高達幾百伏的場強,更多信息請參
考調制放大器的數(shù)據(jù)表。
考慮到電場與隔板正交,要考慮DUT測試最壞的情況,請將其定位在TEM單元內,使PCB跡線垂直與隔
板方向,使其暴露場強下.
TBTC0,應用射頻功率 | 隔板與壁之間的場強 |
10W(40dBm) | 799 V/m |
1W(30dBm) | 253 V/m |
0.1W(20dBm) | 82 V/m |
0.01W(10dBm) | 25 V/m |
TBTC0 ,場強與射頻功率
TBTC1,應用射頻功率 | 隔板與壁之間的場強 |
10W(40dBm) | 447 V/m |
1W(30dBm) | 141 V/m |
0.1W(20dBm) | 44 V/m |
0.01W(10dBm) | 14 V/m |
TBTC1 ,場強與射頻功率
TBTC2,應用射頻功率 | 隔板與壁之間的場強 |
10W(40dBm) | 224 V/m |
1W(30dBm) | 71 V/m |
0.1W(20dBm) | 22 V/m |
0.01W(10dBm) | 7 V/m |
TBTC2 ,場強與射頻功率
TBTC3,應用射頻功率 | 隔板與壁之間的場強 |
10W(40dBm) | 148 V/m |
1W(30dBm) | 47 V/m |
0.1W(20dBm) | 14 V/m |
0.01W(10dBm) | 5 V/m |
TBTC3 ,場強與射頻功率
TEM Cell用于EMC一致性預測試---輻射騷擾
TEM單元與頻譜分析儀或接收機配合使用,可以對產品EMC相關整改前后對產品進行測試驗證,工程師可以清楚的看到整改效果.
技術指標
TBTC0 | |
長度 | 390 mm |
寬度 | 100 mm |
高度 | 62 mm |
隔墊高度 | 28 mm |
隔墊下方矩形區(qū)域尺寸 | 19×7×2.8 cm |
連接器 | N型-母 |
單元阻抗 | 50歐 |
阻抗 | 377歐 |
射頻輸入功率 | 10W (受提供50端接空限制) |
輸入回波損耗 | S11 @ 3.15G < -1.5dB |
傳輸損耗 | 3G < 3dB, 6G < 4dB |
TBTC1 | |
長度 | 390 mm |
寬度 | 200 mm |
高度 | 108 mm |
隔墊高度 | 50 mm |
隔墊下方矩形區(qū)域尺寸 | 19×13×5 cm |
連接器 | N型-母 |
單元阻抗 | 50歐 |
阻抗 | 377歐 |
射頻輸入功率 | 25W (受提供50端接空限制) |
輸入回波損耗 | S11 @ 1.2G<-20dB;2.1G<-17dB; 3G<-14dB |
傳輸損耗 | 1.4G<1dB, 2.1G<3dB,3G<6dB |
TBTC2 | |
長度 | 636 mm |
寬度 | 300 mm |
高度 | 205 mm |
隔墊高度 | 100 mm |
隔墊下方矩形區(qū)域尺寸 | 23×28×10 cm |
連接器 | N型-母 |
單元阻抗 | 50歐 |
阻抗 | 377歐 |
射頻輸入功率 | 25W (受提供50端接空限制) |
輸入回波損耗 | S11 @ 800MHz<-15dB;1.5G<-10dB; 3G<-8dB |
傳輸損耗 | 800MHz<1dB, 1.15G<3dB |
TBTC3 | |
長度 | 1038 mm |
寬度 | 501 mm |
高度 | 305 mm |
隔墊高度 | 150 mm |
隔墊下方矩形區(qū)域尺寸 | 36×48×15 cm |
連接器 | N型-母 |
單元阻抗 | 50歐 |
阻抗 | 377歐 |
射頻輸入功率 | 25W (受提供50端接空限制) |
輸入回波損耗 | S11 @ 700MHz<-16dB; |
傳輸損耗 | 730MHz<3dB |
DC-Block 50V-6GHz-N | |
連接器 | N-Male / Female |
標稱阻抗 | 50歐 |
連續(xù)射頻功率 | 2W |
連續(xù)射頻電壓 | 50V RMS |
頻率 | 500KHz – 6GHz |
VSWR | ≤ 1.2 |
插入損耗 | MHz 0.3 0.7 1 10 100 1000 3000 |
dB 7.5 3 1.5 0.02 0.02 0.06 0.2 | |
RF終端 50Ω-3GHz-25W-N | |
連接器 | N |
標稱阻抗 | 50歐 |
連續(xù)射頻功率 | 25W |
頻率 | DC-3GHz |
VSWR | ≤1.2 |
三階互調 | ≤120dBc |
RF終端 50Ω-6GHz-10W-N | |
連接器 | N |
標稱阻抗 | 50歐 |
連續(xù)射頻功率 | 10W |
頻率 | DC-6GHz |
VSWR | ≤1.2 |
三階互調 | ≤120dBc |
質保 | |
質保 | 1年 |